失效判据举例
本节介绍确定晶体管、数字集成电路和线性集成电路等半导体器件失效判据的实际 例子。其他系列半导体器件的失效判据基本上可用同样的方法来规定。
(1)晶体管的失效判据
表2.1.1列出了晶体管典型特性参数的失效判据。由于晶体管的种类和用途的不 同,所以评价项目也各有侧重。例如:大功率晶体管的热阻变化、安全工作区的变化等是 非常重要的项目，而小信号晶体管的噪声变化、漏电流变化等则是非常重要的项目。因此,应 按不同作用而由表

(2)数字集成电路的失效判据
表2. 1. 2示出数字集成电路典型特性参数的失效判据。由于数字集成电路有很大的 安全系数，很难测出电路组成元件(晶体管、二极管、电阻等)的特性参数变化，所以失效模 式和特性参数之间没有密切的联系。很难单纯地靠外部测量特性参数来判断失效原因， 大规模集成电路就更困难。但是，当内部元件的参数发生很大变化时，仍然会使电路丄作 不正常。为了评价这些产品的稳定性,采用测试元件群（Test Element Group)的方法来 测出一群元件的特性参数变化，并以此为基础制定稳定而可靠的工艺控制。由此可知，数 字集成电路的失效判据是以电路能否有效工作为依据来规定的。另外,在大多数情况下， 査明电源电压安全系数和温度特性等的变化也是一种有效的手段。